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키파운드리, 2세대 0.13 micron Embedded Flash 공정을 이용한 차량용 반도체 본격 양산 돌입
2021/04/06

키파운드리, 2세대 0.13 micron Embedded Flash 공정을 이용한 차량용 반도체 본격 양산 돌입


국내 유일의 순수 파운드리 반도체 기업인 키파운드리(대표이사 이태종)는 2세대 0.13 micron Embedded Flash 공정을 이용한 차량용 반도체의 첫 제품 개발을 마치고 연내 본격 양산에 돌입한다고 밝혔다.

키파운드리는 컨슈머용으로 개발한 1세대 0.13 micron Embedded Flash Technology를 5년 이상 양산 중이며, 이 프로세스는 MCU, Touch, Auto Focus 등의 다양한 제품에 활용되고 있다. 이번에 개발한 2세대 0.13 micron Embedded Flash Technology는 차량용 반도체 제품에 활용 가능하도록 AEC-Q100 Grade-1 신뢰성 기준에 맞추어 개발되었다. 자동차 전장부품 신뢰성 시험 규정인 AEC-Q100 Grade-1은 125℃ 고온에서 반도체 칩의 모든 기능이 10년 이상 정상적으로 동작 가능해야 하며, Flash에 저장된 모든 정보를 10년 이상 유지해야 하는 매우 까다로운 신뢰성 기준이다. 키파운드리는 자체 특허를 보유한 Side-wall Selective Transistor Cell(SSTC) 구조의 견고한 특성과 축적된 노하우를 바탕으로 AEC-Q100 Grade-1 신뢰성 테스트를 모두 통과하였고, 설계적으로 Embedded Flash IP 안에 ECC(Error Correcting Code Memory)를 추가하여 Flash Memory의 신뢰성을 대폭 향상시킴으로써, 차량용 반도체 제품 개발에 적합한 Embedded Flash Technology를 개발하였다. 키파운드리는 2세대 0.13 micron Embedded Flash 공정이 국내 고객의 차량용 하이패스 단말기 MCU 제품에 첫 적용되었으며, 이 제품에는 키파운드리에서 제공한 128Kbyte eFlash IP와 공정이 사용되어 제품 레벨에서의 검증을 모두 마치고 올해부터 본격적인 양산에 돌입한다고 밝혔다. 이는 키파운드리의 Embedded Flash 공정을 이용한 첫번째 차량용 반도체 제품이며, 이 제품의 성공적인 개발로 향후 차량용 Touch IC, 차량용 무선충전 IC 등 다양한 제품으로의 적용이 확대될 것을 기대하고 있다.

2세대 0.13 micron Embedded Flash Technology는 기존 1세대 공정 대비 신뢰성이 향상되면서도 공정 비용 측면에서 경쟁력을 갖춰, 차량용 제품뿐만 아니라 컨슈머용 MCU, Touch, Auto Focus 등의 제품에서도 활용이 가능하다. 또한 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정과 접목하여 USB Type-C PD, 모터 드라이버 IC, 무선 충전 IC 등 다양한 전력 반도체 제품으로의 확대도 가능하며, Ultra Low Leakage 공정 옵션을 통해 저전력 IoT 제품에도 활용될 것으로 기대된다.

한편, 키파운드리는 1세대, 2세대 0.13 micron Embedded Flash에 이어 0.11 micron Embedded Flash Technology를 개발 중에 있다. 최근 고객들의 높은 Memory Density에 대한 요구가 증가함에 따라, 향후 Flash Cell을 획기적으로 줄여 4Mbits Memory Density까지 Flash IP를 제공할 계획에 있다.

키파운드리 이태종 대표는 “최근 차량용 반도체 시장이 빠르게 성장하는 가운데, 키파운드리의 2세대 0.13 micron Embedded Flash Technology를 이용한 차량용 반도체 첫 제품이 개발을 마치고 양산에 돌입하는 것을 기쁘게 생각한다” 면서, “키파운드리는 그 동안 축적해온 기술을 바탕으로 매우 높은 수준의 신뢰성과 원가 경쟁력을 갖춘 파운드리 기술 제공할 것이며, 이러한 기술력을 바탕으로 차량용 반도체 제품의 비중을 지속적으로 늘려나갈 계획이다.” 고 말했다.

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